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晶体生长工艺设备
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晶体生长工艺设备
产品名称:多晶生长/合成炉
用途:主要用于稀有材料化合物(砷化镓、碲化镉、磷化铟等)的合成工艺。
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详细介绍

炉体结构:          水平一体式;

适用尺寸:          2”--6”;

加热体温区数:      8段;

显示及监控段数:    8点控温,多点监控;

控制方式:          仪表控制或微机控制;

炉体最高工作温度:  高温区1280℃;

 温度显示精度:   0.1℃;

温度控制精度:      优于0.2℃;

更详细的参数欢迎来电垂询!


 

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